IRFH5210TRPBF

1. Pérdidas de conducción más bajas
2.Permite una mejor disipación térmica
3. Mayor confiabilidad
4. Densidad de potencia aumentada
5. Compatibilidad con múltiples proveedores
6.Fabricación más fácil
7. Más respetuoso con el medio ambiente.
8. Mayor confiabilidad

Número de pieza del fabricante:IRFH9310TRPBF
Fabricante / Marca International Rectifier (Infineon Technologies)
Parte de la descripción:MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:Nuevo original, 12000 piezas en stock disponible.
Enviar desde: Hong Kong
Forma de envío: DHL/Fedex/TNT/UPS
Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Número de pieza IRFH9310TRPBF
Fabricante / Marca International Rectifier (Infineon Technologies)
Stock Cantidad 12000 piezas Stock
Categoría Productos semiconductores discretos > Transistores - FET, MOSFET - Simple
Descripción MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
Ancho - Interior -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje/Corriente - Salida 1 PQFN (5x6)
Tolerancia 5250pF @ 15V
Canal P tipo cola
MOSFET de ángulo de paso (óxido de metal)
Temperatura de contracción Infineon Technologies
Tipo SFP/XFP ±20V
Capacidad remota HEXFET®
Paso - Cable de montaje en superficie
Otros nombres Sin plomo / Cumple con RoHS
Otros nombres 1
Oscilador Tipo 8-PowerVDFN
Número de DAC 30V
Gravedad específica mínima del líquido -
Orientación de acoplamiento 4,6 mOhm @ 21A, 10V
Número de pieza del fabricante IRFH9310TRPBFDKR-ND
Longitud - Barril Digi-Reel®
Color de la lámpara 4,5 V, 10 V
Voltaje lateral alto: máx. (Bootstrap) 21 A (Ta), 40 A (Tc)
Función 58nC @ 4.5V
Potencia de bobina activa
Capacitancia del canal (CS (apagado), CD (apagado)) 3,1 W (Ta)
Lector de tarjetas Tipo 2.4V @ 100µA
Características y Beneficios
Características Beneficios resultantes
Bajo RDSon (≤ 4,6 mΩ) Menores pérdidas de conducción
Paquete PQFN estándar de la industria Compatibilidad con múltiples proveedores
Cumple con RoHS No contiene plomo, bromuro ni halógeno Más respetuoso con el medio ambiente
da como resultado
Nota
Cantidad de formularios
IRFH9310TRPBF PQFN 5 mm x 6 mm Cinta y carrete 4000
Número de pieza que se puede pedir Paquete Tipo Paquete estándar
VDS-30 V
RDS (activado) máx.
(@VGS = 10 V) 4,6 mΩ
Qg (típico) 110 nC
RG (típico) 2,8 Ω
ID
(@TA = 25°C) -21 A
Índices absolutos máximos
Unidades de parámetros
Voltaje de drenaje a fuente VDS
Voltaje de puerta a fuente VGS
ID @ TA = 25°C Corriente de drenaje continua, VGS @ -10V
ID @ TA = 70°C Corriente de drenaje continua, VGS @ -10V
ID @ TC = 25°C Corriente de drenaje continua, VGS @ -10V (Silicon Limited)
ID @ TC = 70°C Corriente de drenaje continua, VGS @ -10V (Silicon Limited)
ID @ TC = 25 °C Corriente de drenaje continua, VGS @ -10 V (paquete limitado)
Corriente de drenaje pulsada IDM
PD @TA = 25°C Disipación de potencia
PD @ TA = 70 °C Disipación de potencia
Factor de reducción lineal W/°C
Unión operativa TJ y
Rango de temperatura de almacenamiento de TSTG
Calificación repetitiva;ancho de pulso limitado por máx.temperatura de la Unión.
TJ inicial = 25 °C, L = 1,1 mH, RG = 50 Ω, IAS = -17 A.
Ancho de pulso ≤ 400µs;ciclo de trabajo ≤ 2%.
Cuando se monta en un tablero de cobre cuadrado de 1 pulgada.
Rθ se mide a TJ de aproximadamente 90°C.
SOLO PARA AYUDA DE DISEÑO, no sujeto a pruebas de producción.